要旨

小型化や高効率化が期待される次世代Silicon Carbide（SiC）パワー半導体を使用した電力回路において，性能を活かした最適設計をおこなうことが求められる．SiCパワー半導体の特徴である高速スイッチングの過渡応答に関わる回路部品をすべて洗い出し，シミュレーション回路にて実測との合わせこみをおこなった結果，誤差４％以内の電圧，電流波形が得られた．このシミュレーション回路技術を用いて，電力回路設計における重要な回路部品を抽出した．効率やElectro Magnetic Interference（EMI）性能に関わる寄生インピーダンス部位において，最適値を導くことによりスイッチング損失低減効果およびノイズ低減効果を確認できた．

参考文献

1. （１） 四戸孝:SiCパワーデバイス，東芝レビュー，Vol.59, No.2, p.49-53(2004)
2. （２） パワーエレクトロニクスハンドブック編集委員会編：パワーエレクトロニクスハンドブック，オーム社，288p.(2010)

著者(所属)

• 江越 智代（四輪R&Dセンター）
• 篠原 貞夫（四輪R&Dセンター）

掲載情報

Honda R&D Technical Review　Vol.24 No.1 収録 (128 - 134)

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