要旨

現在、自動車に用いられる車速検出は、要求精度に合わせてさまざまな方法が使われている。具体的には、検出可能な速度範囲と耐熱性上の制約から、高耐熱だが極低速が検出できないコイル方式と、停止まで検出できるが耐熱性上限界がある半導体方式を使い分けている。近年、制御の高度化から、一部用途において低速検出への必要性が高まっている。又、部品の共通化の観点からも、高耐熱で極低速検出が可能なセンサが望ましい。今回、耐熱性に優れたガリウム砒素半導体を用いて、高耐熱で極低速検出が可能なセンサを開発したので報告する。

参考文献

1. １） Hisashi Tate (Hitachi-Cable) Hideo Seki (Honda R.&D.)「GaAs Hall Effect Sensor IC for Automobile Usage」1998 SAE
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4. ４） 右高正俊（豊田工業大学）「シリコン高温ICの開発」第６回高温エレクトロニクス研究会、1996
5. ５） 木本恒暢（京都大学）「SiC半導体デバイスの最近の進展」第５回高温エレクトロニクス研究会、1995
6. ６） 滝川光治（豊田中研）「自動車用高温エレクトロニクスデバイス」第１回高温エレクトロニクス研究会、1991
7. ７） 板倉啓二郎（松下電子工業）「GaAsホールICの設計と試作」、電子通信学会1987
8. ８） 「耐環境半導体デバイス技術の現状と展望」NTTアドバンステクノロジー、1990

著者(所属)

• 関 英男（和光基礎技術研究センター）
• 石川 一郎（和光基礎技術研究センター）
• 大根 健一（和光基礎技術研究センター）
• 岡本 久順（栃木研究所）
• 福田 一実（栃木研究所）

掲載情報

Honda R&D Technical Review　Vol.10 収録 (135 - 141)

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